SpectroscopicEllipsometry相关论文
Low Defect Interface Intrinsic layer in p a-Si:H/ n-type c-Si Heterojunction for Optimization Surfac
We have performed good surface passivation with intrinsic buffer layers that have different pressure on hydrogenated amo......
The Study of in-Situ Growth Mechanism of Magnetized Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Al2O3
Growth mechanism during plasma-assisted atomic layer deposition (PA-ALD) of Al2O3 thin film was studied by in-situ spect......
采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相......
在光谱椭偏测量中,玻璃基底的背反射会给测量结果造成较大影响。针对平板显示器件玻璃基底表面氮化硅镀膜进行了椭偏测量和模型计算......
本文提出了SnO2:F绒面膜的三层膜模型;从表示平面波传播性质的界面矩阵和膜层矩阵出发,导出了三层膜系统的散射矩阵和总反射系数,......
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲......
利用椭圆偏振光谱进行薄膜样品的测量数据分析拟合时, 薄膜厚度与介电常数通常具有一定的关联性。不同色散模型的选取也会对拟合结......
椭圆偏振光谱因其独特的优点广泛应用于薄膜科学和技术中。光度法椭圆偏振光谱中椭圆旋向是不能直接确定的,从而不能确定椭偏参数Δ......
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0 eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(......
Spectroscopic ellipsometry was used to characterize the temperature dependence of optical properties of monolayer tr......
利用MEVVA离子源进行离子束合成,制备了C^+离子注入单晶Si衬底的样品,并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况。椭偏光谱测量波长范围为400 ̄2000nm。......